发明名称 |
氮化镓基场效应管及其制备方法 |
摘要 |
本发明是关于一种氮化镓基场效应管及其制备方法。该场效应管包括正面管芯、衬底和背金结构,所述的衬底包括碳化硅衬底或蓝宝石衬底,所述的背金结构设置在衬底底面,该背金结构包括背金起镀层和电镀层,所述的背金起镀层是由钛金属层、钨金属层和金金属层构成的复合金属层,所述的钛金属层与所述的衬底接触。本发明采用氢氧化钠抛光液,对场效应管的衬底进行化学机械抛光,采用溅射钛/钨/金复合层金属的方法形成背金起镀层,利用钨的良好阻挡性能,钛/钨/金系统有效地阻挡金锡合金或金锡焊料在高温条件下向衬底渗透,有效地增强了背金结构在碳化硅衬底或蓝宝石衬底的粘附性。 |
申请公布号 |
CN101442071A |
申请公布日期 |
2009.05.27 |
申请号 |
CN200810240270.4 |
申请日期 |
2008.12.18 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
李诚瞻;魏珂;郑英奎;刘果果;黄俊;刘新宇 |
分类号 |
H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/778(2006.01)I |
代理机构 |
北京市德权律师事务所 |
代理人 |
王建国 |
主权项 |
1、一种氮化镓基场效应管,包括正面管芯、衬底和背金结构,所述的背金结构设置在衬底底面,该背金结构包括背金起镀层和电镀层,其特征在于:所述的背金起镀层是由钛金属层、钨金属层和金金属层构成的复合金属层,所述的钛金属层与所述的衬底接触。 |
地址 |
100029北京市朝阳区北土城西路3号 |