| 发明名称 | 等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明以提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制该处理气体供给部的温度升高为课题。为此，在本发明中使用的等离子体处理装置，具备：具有保持被处理基板的保持台的处理容器；在前述处理容器上按照与被处理基板相对的方式设置的微波天线；在前述保持台上的被处理基板和前述微波天线之间，按照与前述被处理基板相对的方式设置的处理气体供给部，其特征在于，前述处理气体供给部具有使形成在前述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部；可以与处理气体源相连接的处理气体通路；与前述处理气体通路相连通的多个第2开口部；冷却该处理气体供给部的冷却媒体所流动的冷却媒体通路，前述冷却媒体包含冷却气体和雾。 | ||
| 申请公布号 | CN100492600C | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200480032469.8 | 申请日期 | 2004.11.02 |
| 申请人 | 大见忠弘;东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 大见忠弘;野泽俊久;森田治;汤浅珠树;小谷光司 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1. 一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：具有保持被处理基板的保持台的处理容器；在所述处理容器上按照与被处理基板相对的方式设置的微波天线；以及在所述保持台上的被处理基板和所述微波天线之间，按照与所述被处理基板相对的方式设置的处理气体供给部，所述处理气体供给部具有使形成在所述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部；与处理气体源相连接的处理气体通路；与所述处理气体通路相连通的多个第2开口部；以及冷却该处理气体供给部的冷却媒体所流动的冷却媒体通路，所述冷却媒体包含冷却气体和雾状的H2O。 | ||
| 地址 | 日本宫城县 | ||