发明名称 |
稠环芳香族有机半导体单晶微/纳米材料及其制备方法与应用 |
摘要 |
本发明公开了稠环芳香族有机半导体单晶微/纳米材料及其制备方法与应用。本发明材料具有良好的单晶性,采用带有真空系统的两段控温管式电阻炉,通过控制管式炉的真空度、气流和炉子温度等条件,通过物理气相传输方式即可以进行生长,制备方法操作简单,具有一定的普适性,条件易于控制,对材料形貌的控制比较容易。该微/纳米材料用途广泛,以其为基础的场效应晶体管具有迁移率高和阈值电压低等优良性能,应用前景广阔。 |
申请公布号 |
CN100491604C |
申请公布日期 |
2009.05.27 |
申请号 |
CN200510109070.1 |
申请日期 |
2005.10.17 |
申请人 |
中国科学院化学研究所 |
发明人 |
胡文平;李洪祥;汤庆鑫 |
分类号 |
C30B29/54(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/54(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
关 畅 |
主权项 |
1、稠环芳香族有机半导体单晶微/纳米材料,该材料是宽度在10纳米—5微米、长度在10微米—0.1毫米的一维带状或棒状结构;或者是厚度在10纳米—5微米,长度在10—20微米的块状或片状结构;该材料是用包括如下步骤的方法制备的:1)在带有真空系统的两段控温管式电阻炉的两段分别放入蒸发源和沉积衬底,抽真空到1—10Pa;所述蒸发源为稠环芳香族有机半导体化合物;2)沿蒸发源到沉积衬底的方向通入保护气,保护气气流量为200—300sccm;3)将蒸发段温度升温,控制其温度略高于蒸发源在炉内真空度下的沸点温度;控制沉积段温度,使其温度低于蒸发源在炉内真空度下的熔点温度,保温后在沉积衬底上得到所述有机半导体单晶微/纳米材料。 |
地址 |
100080北京市海淀区中关村北一街2号 |