发明名称 高功率散热基板
摘要
申请公布号 TWM357842 申请公布日期 2009.05.21
申请号 TW097207062 申请日期 2008.04.24
申请人 海肯达科技有限公司 HIGH CONDUCT. SCIENCE & TECHNOLOGY LTD, COMPANY 台北县莺歌镇中正一路285号 发明人 林总贤;段维新
分类号 H05K7/20 (2006.01) 主分类号 H05K7/20 (2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种高功率散热基板,包含:一金属下层;一陶瓷中间层,位于该金属下层上方;及一金属上层,位于该陶瓷中间层上方。2.如申请专利范围第1项所述之高功率散热基板,其中该金属下层与该金属上层系选自于由铜、银所组成的群组。3.如申请专利范围第1项所述之高功率散热基板,其中该金属下层与该金属上层之一厚度介于0.1至2公厘之间。4.如申请专利范围第1项所述之高功率散热基板,其中该陶瓷中间层之一材料系选自于由氧化铝、氧化矽、氧化锆、氮化铝、氮化矽、碳化矽、玻璃及玻璃陶瓷所组成的群组。5.如申请专利范围第1项所述之高功率散热基板,其中该陶瓷中间层之一厚度介于0.1至3公厘之间。6.如申请专利范围第1项所述之高功率散热基板,其中该金属上层覆盖该陶瓷中间层至少80%的面积。7.如申请专利范围第1项所述之高功率散热基板,其中该金属上层可为复数个连续或不连续的金属片。8.如申请专利范围第7项所述之高功率散热基板,其中该金属上层共覆盖陶瓷中间层至少80%的面积。9.如申请专利范围第1项所述之高功率散热基板,其中该金属上层可具有复数个纹路。10.如申请专利范围第1项所述之高功率散热基板,其中该金属下层覆盖该陶瓷中间层至少90%的面积。图式简单说明:图1显示依据本创作实施之一高功率散热基板之剖面示意图。图2显示依据本创作实施之一高功率散热基板之俯视示意图。图3显示依据本创作实施之一高功率散热基板之剖面示意图。图4显示依据本创作实施之一高功率散热基板之俯视示意图。图5显示依据本创作实施之一高功率散热基板之剖面示意图。图6显示依据本创作实施之一高功率散热基板之俯视示意图。图7显示依据本创作实施之一高功率散热基板之俯视示意图。图8显示依据本创作实施之一高功率散热基板之俯视示意图。图9显示依据本创作实施之一高功率散热基板之剖面示意图。图10显示依据本创作实施之一高功率散热基板之俯视示意图。图11显示依据本创作实施之一高功率散热基板之俯视示意图。图12显示依据本创作实施之一高功率散热基板之俯视示意图。图13显示依据本创作实施之一高功率散热基板之俯视示意图。
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