于薄膜电晶体液晶显示器制程中之蚀刻方法

主权项

1.一种于薄膜电晶体液晶显示器制程中之蚀刻方法，适用于一透明基板上形成一薄膜电晶体，包括下列步骤：于该透明基板上沉积一铝合金层，并蚀刻该铝合金层以定义一闸极电极，定义该闸极电极包括在蚀刻剂中加入氯化硼，以让蚀刻剂于蚀刻反应中，藉由该氯化硼与该铝合金层固相之氧化铝反应，而使该铝合金层之固相氧化铝反应成气相之铝的氯化物及硼的氧化物，其中在该蚀刻剂中所加入氯化硼之含量为20至50总流量百分率。2.如申请专利范围第1项所述之于薄膜电晶体液晶显示器制程中之蚀刻方法，其中，蚀刻该铝合金层包括以下反应机制Al2O3+BCl3→AlCl3+ B2O3。3.如申请专利范围第1项所述之于薄膜电晶体液晶显示器制程中之蚀刻方法，其中，该铝合金层是为纯铝金属、铝-铌合金、钼/铝-钕合金、铝-钛合金或铝-矽-铜合金。4.如申请专利范围第1项所述之于薄膜电晶体液晶显示器制程中之蚀刻方法，更包括定义该铝合金层以形成一信号线，其中，定义该铝合金层包括在蚀刻剂中加入氯化硼(BCl3)。5.一种于薄膜电晶体液晶显示器制程中之蚀刻方法，适用于一透明基板上形成一薄膜电晶体，包括下列步骤：于该透明基板上形成该薄膜电晶体之一闸极电极；以及于该透明基板上沉积及定义一铝合金层以形成该薄膜电晶体之一源极电极以及一汲极电极，其中，定义该铝合金层包括在蚀刻剂中加入氯化硼(气相)，以让蚀刻剂于蚀刻反应中，藉由该氯化硼与该铝合金层固相之氧化铝反应，而使该铝合金层之固相氧化铝反应成气相之铝的氯化物及硼的氧化物，其中在该蚀刻剂中所加入氯化硼之含量为20至50总流量百分率。6.如申请专利范围第5项所述之于薄膜电晶体液晶显示器制程中之蚀刻方法，其中，蚀刻该铝合金层包括以下反应机制Al2O3+BCl3→AlCl3+ B2O3。7.如申请专利范围第5项所述之于薄膜电晶体液晶显示器制程中之蚀刻方法，其中，该铝合金层是为纯铝金属、铝-铌合金、钼/铝-钕合金、铝-钛合金或铝-矽-铜合金。8.如申请专利范围第5项所述之于薄膜电晶体液晶显示器制程中之蚀刻方法，更包括定义该铝合金层以形成一信号线，其中，定义该铝合金层包括在蚀刻剂中加入氯化硼(BCl3)。9.一种于薄膜电晶体液晶显示器制程中之蚀刻方法，适用于一透明基板上，包括下列步骤：于该透明基板上形成一闸极电极；以及于该闸极电极上依序沈积一绝缘层、一第一半导体层、一第二半导体层以及一铝合金层，并定义该铝合金层、该第二半导体层以及该第一半导体层以形成一源极电极以及一汲极电极，该源极电极与汲极电极间隔一通道，并使该通道中之第一半导体层暴露出来，其中，定义该铝合金层包括在蚀刻剂中加入氯化硼(气相)，以让蚀刻剂于蚀刻反应中，藉由该氯化硼与该铝合金层固相之氧化铝反应，而使该铝合金层之固相氧化铝反应成气相之铝的氯化物及硼的氧化物，其中在该蚀刻剂中所加入氯化硼之含量为20至50总流量百分率。10.如申请专利范围第9项所述之于薄膜电晶体液晶显示器制程中之蚀刻方法，其中，蚀刻该铝合金层包括以下反应机制Al2O3+BCl3→AlCl3+ B2O3。11.如申请专利范围第9项所述之于薄膜电晶体液晶显示器制程中之蚀刻方法，其中，该铝合金层是为纯铝金属、铝-铌合金、钼/铝-钕合金、铝-钛合金或铝-矽-铜合金。12.如申请专利范围第9项所述之于薄膜电晶体液晶显示器制程中之蚀刻方法，更包括定义该铝合金层以形成一信号线，其中，定义该铝合金层包括在蚀刻剂中加入氯化硼(BCl3)。13.一种于薄膜电晶体液晶显示器制程中之蚀刻方法，适用于一透明基板上形成一薄膜电晶体，包括下列步骤：于该透明基板上沉积一铝合金层；以及复数次定义该铝合金层以形成该薄膜电晶体之一源极电极以及一汲极电极，其中，该各次定义该铝合金层包括在蚀刻剂中加入氯化硼(气相)，以让蚀刻剂于蚀刻反应中，藉由该氯化硼与该铝合金层固相之氧化铝反应，而使该铝合金层之固相氧化铝反应成气相之铝的氯化物及硼的氧化物，其中在该蚀刻剂中所加入氯化硼之含量为20至50总流量百分率。14.如申请专利范围第13项所述之于薄膜电晶体液晶显示器制程中之蚀刻方法，其中，蚀刻该铝合金层包括以下反应机制Al2O3+BCl3→AlCl3+B2O3。15.如申请专利范围第13项所述之于薄膜电晶体液晶显示器制程中之蚀刻方法，其中，该铝合金层是为纯铝金属、铝-铌合金、钼/铝-钕合金、铝-钛合金或铝-矽-铜合金。16.如申请专利范围第13项所述之于薄膜电晶体液晶显示器制程中之蚀刻方法，更包括定义该铝合金层以形成一信号线，其中，定义该铝合金层包括在蚀刻剂中加入氯化硼(BCl3)。图式简单说明：第1A至1E图系显示薄膜电晶体液晶显示器制作流程之剖面图。第2A图系显示于蚀刻过程中未加入氯化硼气体之蚀刻腔体之照片。第2B图系显示于蚀刻过程中有加入氯化硼气体之蚀刻腔体之照片。