| 主权项 |
1.一种钻石膜之结构，包含有：一物件基材具有一基材表面，该基材表面的垂直方向定义出一法线；一第一结合层形成于该物件基材之基材表面，第一结合层之结合晶体的长轴向控制与该法线呈0度至45度间的任何夹角方向结合于该基材表面；若干的钻石颗粒平均地舖设于该第一结合层之裸露的一表面，且其夹隙系可系可受侧向推移地堆设各个钻石颗粒；以及一第二结合层形成于第一结合层表面，该第二结合层之结合晶体系结合于该基材表面及钻石颗粒的周边，并可使钻石颗粒相对该第二结合层之裸露的一表面露出预定控制的尺寸，其中该第二结合层之结合晶体的长轴向系与法线呈45度至90度间的任何夹角。2.一种钻石膜之结构，包含有：一物件基材具有一基材表面，该基材表面的垂直方向定义出一法线；一第一结合层形成于该物件基材之基材表面，第一结合层之结合晶体的长轴向控制与该法线呈45度至90度间的任何夹角方向结合于该基材表面；若干的钻石颗粒平均地舖设于该第一结合层之裸露的一表面，且其夹隙系可系可受侧向推移地堆设各个钻石颗粒；以及一第二结合层形成于第一结合层表面，该第二结合层之结合晶体系结合于该基材表面及钻石颗粒的周边，并可使钻石颗粒相对该第二结合层之裸露的一表面露出预定控制的尺寸，其中该第二结合层之结合晶体的长轴向系与法线呈0度至45度间的任何夹角。3.依据申请专利范围第1项所述钻石膜之结构，其又可于该第一结合层之结合晶体上先设一第三结合层其有结合晶体长轴向与该法线呈0度至90度间，该第二结合层之结合晶体则再设于该第三结合层之结合晶体上。4.依据申请专利范围第2项所述钻石膜之结构，其又可于该第一结合层之结合晶体上先设一第三结合层其有结合晶体长轴向与该法线呈0度至90度间，该第二结合层之结合晶体则再设于该第三结合层之结合晶体上。5.依据申请专利范围第1或2或3或4项所述钻石膜之结构，其中系使用静电处理方式或药剂催化方式，将第一结合层之结合晶体的长轴向控制与该法线呈预定角度。6.依据申请专利范围第1或2或3或4项所述钻石膜之结构，其中该第一结合层之结合晶体的长轴向系呈相互平行的。7.依据申请专利范围第1或2或3或4项所述钻石膜之结构，其中该第一结合层之结合晶体的长轴向系呈相互交叉的。8.依据申请专利范围第1或2或3或4项所述钻石膜之结构，其中成型的同时使用静电处理方式或药剂催化方式，将第二结合层之结合晶体控制与该法线呈预定角度。9.依据申请专利范围第1或2或3或4项所述钻石膜之结构，其中该第二结合层之结合晶体的长轴向系呈相互平行的。10.依据申请专利范围第1或2或3或4项所述钻石膜之结构，其中该第二结合层之结合晶体的长轴向系呈相互交叉的。图式简单说明：第一图为本创作一较佳实施例钻石膜之剖面图。第二图为本创作一较佳实施例第一结合层成型图。第三图为本创作一较佳实施例钻石颗粒结合图。 |
