| 发明名称 | 传感器系统 | ||
| 摘要 | 本发明的传感器系统包括：至少两个样本腔(9)；至少两个电位测量FET传感器(10)，特别是IsFET传感器或ChemFET传感器，其各自具有敏感表面部分(2)，其中每一敏感表面部分与一个样本腔流动连接；和参考室，其具有用于提供参考电位的参考介质，其中样本腔经由电解液桥与参考介质相连。优选地，参考室具有用于提供参考电位的电位测量参考FET传感器(12)，其检测电位偏移电极的伪参考电位。相对于伪参考电位确定在样本腔中的N个FET传感器的电位U<sub>diff1</sub>、U<sub>diff2</sub>、...U<sub>diffN</sub>，并且通过在相关电位和参考电位之间的差确定与测量变量相关的电位差U<sub>pH1...N</sub>＝U<sub>diff1...N</sub>-U<sub>diffref</sub>。 | ||
| 申请公布号 | CN100489515C | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200480033227.0 | 申请日期 | 2004.10.28 |
| 申请人 | 恩德莱斯和豪瑟尔测量及调节技术分析仪表两合公司 | 发明人 | 沃夫冈·巴贝尔;托尔斯滕·佩希施泰因;托马斯·施特肯赖特 |
| 分类号 | G01N27/414(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/414(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 钟 强;樊卫民 |
| 主权项 | 1. 一种传感器系统，包括：至少两个样本腔；至少两个电位测量FET传感器，其各自具有敏感表面部分，其中每一敏感表面部分与样本腔之一流动连接；和参考室，其具有参考介质用于提供参考电位，其中样本腔通过电解液桥与参考介质相连。 | ||
| 地址 | 德国盖林根 | ||