| 发明名称 | 制造具有抛光的边缘的半导体晶片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造具有抛光的边缘的半导体晶片的方法，所述方法包括以下步骤：抛光所述半导体晶片的至少一侧；以及对经抛光的半导体晶片的边缘进行抛光；其中，在抛光剂的参与下利用含有固定磨料的抛光布对所述边缘进行抛光。 | ||
| 申请公布号 | CN101434047A | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200810165838.0 | 申请日期 | 2008.09.25 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | K·勒特格;W·艾格纳;M·田端 |
| 分类号 | B24B9/06(2006.01)I;B24D11/00(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | B24B9/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 夏 青 |
| 主权项 | 1、一种用于制造具有抛光的边缘的半导体晶片的方法，包括：抛光所述半导体晶片的至少一侧；以及对经抛光的半导体晶片的边缘进行抛光；其中，在抛光剂的参与下利用含有固定磨料的抛光布对所述边缘进行抛光。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||