超大规模集成电路逻辑器件中斜肩式侧墙的刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种超大规模集成电路逻辑器件中斜肩式侧墙的刻蚀方法，采用等离子体干法刻蚀法除去大多数的氧化硅和氮化硅介质膜，形成侧墙，包括如下步骤：步骤A，顶层氮化硅的主刻蚀：通过调整电极的功率、腔体的压力和反应气体的流量比例，使得各向同性刻蚀的趋势增加，从而获得侧墙的倾斜的顶端肩部形貌；步骤B，氮化硅的过刻蚀：通过调节一氟甲烷和氧气的比例，获得氮化硅对氧化硅的高选择比为16∶1-22∶1。本发明通过提高侧墙顶端肩部的倾斜度，解决因为多晶硅栅的间距的尺寸不断缩小而使后续PMD淀积产生空洞的问题，提高器件的可靠性。

主权项

1、一种超大规模集成电路逻辑器件中斜肩式侧墙的刻蚀方法，其特征在于，包括：步骤1，进行轻掺杂漏注入工艺；步骤2，在多晶硅栅上淀积介质膜，先淀积一层氧化硅，再淀积一层氮化硅；步骤3，采用等离子体干法刻蚀法除去大多数的氧化硅和氮化硅介质膜，形成侧墙；其中，步骤3具体包括如下步骤：步骤A，顶层氮化硅的主刻蚀：通过调整电极的功率、腔体的压力和反应气体的流量比例，使得各向同性刻蚀的趋势增加，从而获得侧墙的倾斜的顶端肩部形貌；步骤B，氮化硅的过刻蚀：通过调节一氟甲烷和氧气的比例，获得氮化硅对氧化硅的高选择比为16:1-22:1。