半导体装置及其制造方法、液晶电视和EL电视

摘要

公开了一种半导体装置的制造方法，其通过少量工艺和通过具有高可用性材料的手段，以具有高清晰度和具有高阶梯覆盖特性的栅绝缘来实现。根据本发明，半导体装置的制造方法包括如下步骤：在基板之上形成多个第一导电层；形成第一绝缘层以填充多个第一导电层的间隙；在第一绝缘层和多个第一导电层之上形成第二绝缘层；以及在第二绝缘层之上形成半导体区和第二导电层。

主权项

1. 一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在基板之上形成至少两个第一导电层；形成第一绝缘层以填充第一导电层的间隙；在第一绝缘层之上形成第二绝缘层并且与第一导电层接触；在第二绝缘层之上形成半导体区，并且在半导体区之上形成第二导电层，其中第二导电层用作源电极和漏电极，和其中形成第一绝缘层，使得第一导电层的厚度大于第一绝缘层的厚度，第一绝缘层的厚度b和第一导电层的厚度a的比b/a大于等于0.7且小于等于1。