| 发明名称 | 制造半导体器件中的电容器的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种制造半导体器件中的电容器的方法。该方法包括在衬底上形成绝缘层；将金属源材料铺填到绝缘层上以改变绝缘层的表面特性，从而改善基于金属的材料对绝缘层表面的附着性；在铺填的绝缘层上形成包含基于金属的材料的存储节点；和随后在基于金属的存储节点上顺序形成介电层和平板电极。 | ||
| 申请公布号 | CN100490061C | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200610149857.5 | 申请日期 | 2006.10.27 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 廉胜振;吉德信;金珍赫;朴基善;宋翰相;卢载盛 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1. 一种制造半导体器件中的电容器的方法，包括：在衬底上形成绝缘层；利用金属源材料铺填所述绝缘层的表面，从而改善基于金属的材料对所述绝缘层表面的附着性；在所述铺填的绝缘层上形成包含所述基于金属的材料的存储节点；和随后在所述基于金属的存储节点上顺序形成介电层和平板电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||