| 发明名称 | 电阻转换存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，该电阻转换存储器包括选通单元及数据存储单元；选通单元采用肖特基二极管；所述肖特基二极管包括至少一层含锑材料层、至少一层半导体层；数据存储单元包括至少一层含锑材料层。本发明存储器中含锑金属不仅作为电阻转换的存储介质，而且作为肖特基二极管中的金属层，甚至可以作为存储器芯片中的导电位线。本发明还提出了多种制造基于含锑金属(或合金)的电阻转换存储器的方法，有望在获得高密度、低成本的固态存储器的竞争中获得较大优势。 | ||
| 申请公布号 | CN101436607A | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200810207813.2 | 申请日期 | 2008.12.25 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 张 挺;宋志棠;陈小刚;顾怡峰;刘 波;封松林;陈邦明 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟;冯 珺 |
| 主权项 | 1、一种电阻转换存储器，其特征在于，其包括：选通单元，该选通单元采用肖特基二极管；所述肖特基二极管包括至少一层含锑材料层、至少一层半导体层；数据存储单元，包括至少一层含锑材料层。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 | ||