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经营范围
发明名称
METHOD OF FORMING A METAL LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号
KR20090050642(A)
申请公布日期
2009.05.20
申请号
KR20070117212
申请日期
2007.11.16
申请人
HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人
KIM, TAE KYUNG
分类号
H01L21/28
主分类号
H01L21/28
代理机构
代理人
主权项
地址
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