一种新型有机电致发光器件薄膜封装方法

摘要

本发明涉及平板显示装置中的封装技术，尤其是一种新型有机电致发光器件薄膜封装方法，其特点是，包括如下步骤：a、采用真空蒸发或磁控溅射的方法在金属阴极上制备一层厚度为400-600nm的氮化硅薄膜阻挡层；b、采用印刷、涂敷、或喷墨打印的方法在氮化硅薄膜沉积一层厚度为800-1200nm的聚甲基丙烯酸甲酯薄膜或聚酰亚胺薄膜，在40-65℃下真空干燥10-60分钟形成一层聚合物薄膜封装层；c、用N离子或Ar离子对聚合物薄膜封装层进行表面改性处理。本发明提出一种新型OEL器件薄膜封装技术，该技术特别对柔性OLED/PLED显示器件的寿命提高有显著的效果。

主权项

1、一种新型有机电致发光器件薄膜封装方法，其特征在于，包括如下步骤：a、在洁净的导电玻璃基板或导电有机PET薄膜基板上制备OEL器件的ITO阳极图形；b、采用真空蒸镀的方法或溶液涂敷的方法在基板上依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、和电子注入层；c、采用真空蒸镀或磁控溅射的方法在上述有机功能层上制备缓冲层和器件金属阴极图形；d、采用真空蒸发或磁控溅射的方法在金属阴极上制备一层厚度为400—600nm的氮化硅薄膜阻挡层；e、采用印刷、涂敷、或喷墨打印的方法在氮化硅薄膜沉积一层厚度为800—1200nm的聚甲基丙烯酸甲酯薄膜或聚酰亚胺薄膜，在40—65℃下真空干燥10—60分钟形成一层聚合物薄膜封装层；f、采用低能离子注入的方法，用N离子或Ar离子对聚合物薄膜封装层进行表面改性处理，形成平滑、致密的聚合物薄膜封装层，注入的离子能量范围为2～20keV，注入剂量范围为1.0×1012～3.0×1019ions/cm2。