GaN基III-V主族化合物半导体器件和p型电极

摘要

本发明披露p型电极和使用它的III-V主族GaN基化合物半导体器件。该电极包括第一层和第二层，所述第一层位于III-V主族氮化物半导体层之上，并由含溶质的Zn基材料形成；所述第二层层叠在所述第一层之上，并由选自Au、Co、Pd、Pt、Ru、Rh、Ir、Ta、Cr、Mn、Mo、Tc、W、Re、Fe、Sc、Ti、Sn、Ge、Sb、Al、ITO和ZnO中的至少一种形成。该Zn基p型电极具有优选的电性能、光学性能和热性能。

主权项

1. III-V主族GaN基化合物半导体器件的电极，所述电极包括：第一层，所述第一层位于III-V主族氮化物半导体层之上，并由含溶质的Zn基材料形成，其中包含在所述Zn基材料内的溶质量在0.1～49.9原子百分比的范围内；第二层，所述第二层层叠在所述第一层之上，并由选自Co、Ir、Ta、Cr、Mn、Mo、Tc、W、Re、Fe、Sc、Sn、Ge、Sb、Al、ITO、ZITO、ZIO、GIO、ZTO、FTO、AZO、GZO、In4Sn3O12和Zn1-xMgxO中的至少一种形成，其中0≤x≤1；及位于所述第一层和第二层之间的中间层，该中间层由选自Co、Pd、Pt、Ru、Rh、Ir、Ta、Cr、Mn、Mo、Tc、W、Re、Fe、Sc、Ti、Sn、Ge和Sb中的至少一种形成，其中该中间层与所述第一层和第二层接触。