在晶片流水线环境中通过等离子处理室处理半导体晶片的方法和装置

摘要

本发明提供了一种在晶片流水线系统内进行半导体晶片处理的等离子室。该处理室可以配置成晶片流水线室内的热堆模块，用于将半导体晶片表面暴露于处理等离子体中。喷头电极和晶片卡盘组件可以设置在处理室内，用于对半导体晶片进行等离子增强处理。各种类型的气体供应源可以与喷头电极流体连通，以提供形成期望等离子体的气体混合物。气体流量可以通过控制器和一系列气体控制阀进行调节，以将预选定的气体混合物引入到处理室内，形成使半导体晶片表面暴露于其中的等离子体。对于不同的半导体晶片处理操作，例如表面底漆处理和底部抗反射涂层(BARC)沉积，可以配制预选择的气体混合物。

主权项

1. 一种实施晶片表面底漆处理的方法，包括如下步骤：将半导体晶片引入位于晶片流水线系统内模块堆中的等离子处理室内，以便使该半导体晶片暴露于其中的处理等离子体中；由选择的气体配方生成所述处理等离子体，用于将所述半导体晶片表面暴露于其中，其中所述气体配方包括氦，并包括0.5％-5％浓度范围内的甲烷和0.5％-5％浓度范围内的氢气；以及将所述处理等离子体接触所述半导体晶片表面，以进行晶片表面底漆处理，其中所述晶片表面被热处理和/或化学处理以去除水分和保证疏水表面。