发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
一种半导体器件包括一有源区域、一凹形沟道区域、一储存节点结区域、一栅极绝缘膜、以及一栅电极。该有源区域藉由一形成在半导体衬底中的器件隔离结构所界定,其中该有源区域的侧壁的下部被形成凹形。该凹形沟道被形成在该有源区域之下的半导体衬底中,其中该凹形沟道具有垂直的沟道区域以及水平的沟道区域。该储存节点结区域被形成在该器件隔离结构以及半导体衬底之上。该栅极绝缘膜被形成在包含该凹形沟道区域的有源区域之上。该栅电极被形成在该栅极绝缘膜之上,以填满该凹形沟道区域。 |
申请公布号 |
CN100490153C |
申请公布日期 |
2009.05.20 |
申请号 |
CN200610077047.3 |
申请日期 |
2006.04.26 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
李相敦;郑在宽 |
分类号 |
H01L27/105(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/105(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯 宇 |
主权项 |
1. 一种半导体器件,其包括:形成在半导体衬底中的器件隔离结构,以界定有源区域,其中该有源区域的侧壁的下部被形成凹形;形成在该有源区域之下的半导体衬底中的凹形沟道区域,该凹形沟道区域具有垂直沟道区域以及水平沟道区域;形成在该器件隔离结构以及半导体衬底之上的储存节点结区域;形成在包括该凹形沟道区域的有源区域之上的栅极绝缘膜;以及形成在该栅极绝缘膜之上的栅电极,以填满该凹形沟道区域。 |
地址 |
韩国京畿道 |