发明名称 反应腔室泄漏的检测方法以及蚀刻及沉积方法
摘要 本发明是关于一种反应腔室泄漏的检测方法以及蚀刻及沉积方法。该反应腔室泄漏的检测方法,是首先在一反应腔室中通入一气体,且所通入的气体是以全流量的条件通入反应腔室中。之后,量测反应腔室中的压力是否异常,即可判断出反应腔室是否有泄漏。若有泄漏的情形发生,外界的空气将会进入反应腔室中而使反应腔室的压力提高,如此即可判断出反应腔室有泄漏。
申请公布号 CN100489477C 申请公布日期 2009.05.20
申请号 CN200410046189.4 申请日期 2004.06.02
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 张圣文;简益辉;林仲仁;林佩筠
分类号 G01M3/26(2006.01)I 主分类号 G01M3/26(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人 寿 宁;张华辉
主权项 1、一种反应腔室泄漏的检测方法,其特征在于其包括以下步骤:使一反应腔室内的压力小于大气压力;在该反应腔室中通入一气体,其中该气体是以全流量的条件通入该反应腔室中;以及量测该反应腔室中的压力是否异常,以判断该反应腔室与外界之间是否有泄漏。
地址 中国台湾