发明名称 | 反应腔室泄漏的检测方法以及蚀刻及沉积方法 | ||
摘要 | 本发明是关于一种反应腔室泄漏的检测方法以及蚀刻及沉积方法。该反应腔室泄漏的检测方法,是首先在一反应腔室中通入一气体,且所通入的气体是以全流量的条件通入反应腔室中。之后,量测反应腔室中的压力是否异常,即可判断出反应腔室是否有泄漏。若有泄漏的情形发生,外界的空气将会进入反应腔室中而使反应腔室的压力提高,如此即可判断出反应腔室有泄漏。 | ||
申请公布号 | CN100489477C | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
申请号 | CN200410046189.4 | 申请日期 | 2004.06.02 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 张圣文;简益辉;林仲仁;林佩筠 |
分类号 | G01M3/26(2006.01)I | 主分类号 | G01M3/26(2006.01)I |
代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿 宁;张华辉 |
主权项 | 1、一种反应腔室泄漏的检测方法,其特征在于其包括以下步骤:使一反应腔室内的压力小于大气压力;在该反应腔室中通入一气体,其中该气体是以全流量的条件通入该反应腔室中;以及量测该反应腔室中的压力是否异常,以判断该反应腔室与外界之间是否有泄漏。 | ||
地址 | 中国台湾 |