制造半导体器件结构的方法

摘要

描述了一种制造半导体器件双嵌入结构的方法。在扩散阻挡层汽相淀积在形成在衬底中的沟槽或通孔中的过程中，使用了基于卤素的前驱体。来自淀积的残余卤素被允许保留在该阻挡层上并且用于催化金属层在该阻挡层上的生长以填充该沟槽或通孔。

主权项

1. 一种制造半导体器件结构的方法，在该方法中，在衬底上淀积第一材料层的过程中，使用基于卤素的前驱体，以及其中使用来自所述淀积的残余卤素以催化在所述第一层上的第二材料层的生长。