| 摘要 |
1. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа для образования слоя покрытия на пленке плазмохимическим осаждением из паровой фазы, в то время как указанную пленку заставляют перемещаться в вакуумной камере, которое включает: ! вышестоящий барабан и нижестоящий барабан, соответственно расположенные на стороне входа и стороне выхода места осаждения по отношению к направлению движения указанной пленки, которые заставляют указанную пленку двигаться по существу линейно в указанном месте осаждения, где: ! высокочастотный электрод расположен лицевой стороной к поверхности осаждения указанной пленки и соединен с источником высокочастотной энергии; ! противоэлектрод расположен на обратной стороне поверхности осаждения указанной пленки; и ! средства подачи газа, подающие исходный газ к поверхности осаждения указанной пленки, соответственно расположены в указанном месте осаждения. ! 2. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором указанные средства подачи газа включают: ! решетку для распыления, присоединенную к указанному высокочастотному электроду; ! часть пространства, образованного между указанным высокочастотным электродом и указанной решеткой для распыления; ! и линию подачи газа, связанную с указанной частью пространства и подающую газ к поверхности осаждения указанной пленки через указанную решетку для распыления. ! 3. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.2, в котором расстояние между указанной решеткой для распыления и поверхностью осаждения указанной пленки равно 10 мм или более и 50 мм или |
