使蚀刻底切最小化及提供清洁金属剥离的方法

摘要

提供了一种使蚀刻底切最小化并在随后的金属沉积中提供清洁金属剥离的方法。在一个实施例中，采用双层抗蚀剂掩模，并将其用于蚀刻下面的衬底材料和随后的金属剥离。在一个实施例中，首先通过标准光刻技术和在第一显影剂中的抗蚀剂显影将对选定范围的能量(诸如近UV或紫光)敏感的顶部层抗蚀剂(诸如正性光致抗蚀剂)图形化，以暴露出部分的底部抗蚀剂层，其对不同的选定范围的能量(诸如深UV光)敏感。然后，通过各向异性蚀刻诸如氧反应离子蚀刻，利用顶部抗蚀剂层作为蚀刻掩模，去除底部抗蚀剂层的暴露部分，以暴露出部分的下面的衬底。这使得顶部光致抗蚀剂开口周围的底部抗蚀剂中的底切最小化。然后，将获得的图形化的双层抗蚀剂叠层用作蚀刻掩模，以用于随后的下面的衬底材料暴露部分的蚀刻。由于在底部抗蚀剂层中不存在底切，因此也使得衬底材料相对于顶部光致抗蚀剂开口边缘的蚀刻底切最小化。

主权项

1. 一种蚀刻衬底以在衬底上形成一个或多个金属化特征的方法，包括步骤：在衬底上形成底部抗蚀剂层，所述底部抗蚀剂层对第一选定范围内的能量敏感；在所述底部层上形成顶部抗蚀剂层，所述顶部抗蚀剂层具有比所述底部层大的厚度且对第二选定范围内的能量敏感；将顶部抗蚀剂层的选定部分暴露到第二选定范围的能量，并去除顶部层中的暴露部分以暴露出一部分底部层；通过暴露到第一选定范围的能量去除底部抗蚀剂层的暴露部分以暴露出部分衬底，其中在暴露衬底的过程中顶部抗蚀剂层中的开口用作掩模；蚀刻衬底的暴露部分至所需深度；随后在所述底部抗蚀剂层中形成抗蚀剂底切；在衬底的暴露部分和顶部抗蚀剂层上沉积金属；和去除顶部和底部抗蚀剂层并剥离在顶部抗蚀剂层上形成的金属，以在衬底上形成一个或多个金属化特征。