| 发明名称 | 基板处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：一种基板处理装置，其特征在于包括：反应容器，包括处理室和电极室，所述电极室与所述处理室相分离，所述电极室容纳有一对电极，和多个待叠层的基板容纳在所述处理室中；和供气件，将处理气提供进所述电极室，所述供气件包括多个供气口，其中所述对电极沿所述多个基板的叠层方向延伸，所述电极设置在所述多个基板的一侧，高频电源被提供给所述电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101435074A | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200810179581.4 | 申请日期 | 2003.04.04 |
| 申请人 | 株式会社日立国际电气 | 发明人 | 绀谷忠司;丰田一行;佐藤武敏;加贺谷徹;嶋信人;石丸信雄;境正宪;奥田和幸;八木泰志;渡边诚治;国井泰夫 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I;C23C16/452(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/455(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 郭 放 |
| 主权项 | 1、一种基板处理装置，其特征在于包括：反应容器，包括处理室和电极室，上述电极室与上述处理室相分离，上述电极室容纳有一对电极，和多个待叠层的基板容纳在上述处理室中；和供气件，将处理气提供进上述电极室，上述供气件包括多个供气口，其中上述一对电极沿上述多个基板的叠层方向延伸，上述电极设置在上述多个基板的一侧，高频电源被提供给上述电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||