| 发明名称 | 一种改变氧化物材料物理性质的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种利用电学调整改变氧化物材料物理性质的方法。该方法包括：选择弱导电氧化物材料作为待改变氧化物材料，该氧化物材料的电阻率在1x10<sup>-4</sup>至1x10<sup>9</sup>Ω.cm范围内；在待改变氧化物材料的一侧或两侧沉积氧化物绝缘薄膜，使之形成氧化物绝缘势垒结器件，或待改变氧化物材料连接一氧化物半导体材料形成氧化物半导体势垒结器件；对氧化物绝缘势垒结器件或氧化物半导体势垒结器件施加一电压，电压值为1V至700V或负0.1V至负50V，致使待改变氧化物材料的物理性质得到改变。本发明不同于传统的依赖化学工业技术的材料开发，不仅可以用于发现新材料，而且也可以作为新型电子器件的原型，用于构造新型电路。 | ||
| 申请公布号 | CN101436546A | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200810239606.5 | 申请日期 | 2008.12.12 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 连贵君;熊光成 |
| 分类号 | H01L21/465(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/465(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 1、一种改变氧化物材料物理性质的方法，其步骤包括：1)选择弱导电氧化物材料作为待改变氧化物材料，该氧化物材料的电阻率在1x10-4至1x109Ω.cm范围内；2)在待改变氧化物材料的一侧或两侧沉积氧化物绝缘薄膜，使之形成氧化物绝缘势垒结器件，或待改变氧化物材料连接一氧化物半导体材料形成氧化物半导体势垒结器件；3)对上述氧化物绝缘势垒结器件或氧化物半导体势垒结器件施加一电压，从而使待改变氧化物材料的物理性质得到改变。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 | ||