| 发明名称 | 一种用于n型硅的透明导电阴极接触结构 | ||
| 摘要 | 一种用在n型硅上的透明导电阴极接触结构，其基本特征在于：在n型硅(1)上是LiF层(2)，然后在LiF层(2)上是透明导电电极(3)。LiF层(2)可以降低n型硅(1)与透明导电电极(3)之间的接触势垒，提高电子的收集或注入效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101436636A | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200810239758.5 | 申请日期 | 2008.12.16 |
| 申请人 | 中国科学院电工研究所 | 发明人 | 赵雷;王文静 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人 | 关 玲;贾玉忠 |
| 主权项 | 1、一种用于n型硅的透明导电阴极接触结构，其特征在于：在n型硅上是一层氟化锂层，然后在氟化锂层上是透明导电电极。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村北二条6号 | ||