发明名称 | 用于金属互连的介电间隔件和形成该介电间隔件的方法 | ||
摘要 | 描述了包含介电间隔件的多种金属互连和形成此类介电间隔件的方法。在一个实施例中,与邻近金属互连相邻的介电间隔件是相互不接触的。在另一实施例中,介电间隔件可提供无着点通孔可有效着底的区域。 | ||
申请公布号 | CN101438388A | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
申请号 | CN200780015999.5 | 申请日期 | 2007.05.01 |
申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | B·博亚诺夫;M·A·侯赛因 |
分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 柯广华;陈景峻 |
主权项 | 1. 一种具有多个互连的电子结构,包括:第一介电层;第一互连,其中所述第一互连在所述第一介电层上方;第二互连,其中所述第二互连在所述第一介电层上方,并且其中所述第二互连与所述第一互连间隔分开;第一介电间隔件,其中所述第一介电间隔件与所述第一互连的侧壁相邻,并且其中所述第一介电间隔件在所述第一与所述第二互连之间;第二介电间隔件,其中所述第二介电间隔件与所述第二互连的侧壁相邻,其中所述第二介电间隔件在所述第一互连与所述第二互连之间,并且其中所述第一介电间隔件和所述第二介电间隔件是相互不接触的,在所述第一介电间隔件与所述第二介电间隔件之间有第一间隙;以及第二介电层,其中所述第二介电层在所述第一互连和所述第二互连的上方,其中所述第二介电层在所述第一介电间隔件和所述第二介电间隔件的上方,以及其中所述第二介电层在所述第一介电间隔件与所述介电间隔件之间的所述第一间隙上方。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |