发明名称 |
硅太阳能电池双层减反射薄膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种硅太阳能电池双层减反射薄膜及其制备方法,所述薄膜是在硅片衬底(1)正表面沉积一层氮化硅薄膜(2.1),在氮化硅薄膜(2.1)上面再沉积一层二氧化硅薄膜(2.2),形成氮化硅/二氧化硅双层反射薄膜(2)。所述方法包括以下工艺步骤:步骤一、在制绒后的硅片衬底上,利用等离子体增强化学气相沉积法,SiH<sub>4</sub>与NH<sub>4</sub>反应,沉积一层氮化硅薄膜;步骤二、在氮化硅薄膜上,利用等离子体增强化学气相沉积法,SiH<sub>4</sub>与N<sub>2</sub>O反应,沉积一层二氧化硅薄膜。本发明薄膜比传统单层减反射薄膜具有更小的折射率,电池效率提高。本发明方法可以在同一台设备内完成,在工艺及设备上得到简化。 |
申请公布号 |
CN101436616A |
申请公布日期 |
2009.05.20 |
申请号 |
CN200810243656.0 |
申请日期 |
2008.12.05 |
申请人 |
江阴海润太阳能电力有限公司 |
发明人 |
任向东;王敬蕊;左云翔 |
分类号 |
H01L31/0232(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0232(2006.01)I |
代理机构 |
江阴市同盛专利事务所 |
代理人 |
唐纫兰 |
主权项 |
1、一种硅太阳能电池双层减反射薄膜,其特征在于所述薄膜是在硅片衬底(1)正表面沉积一层氮化硅薄膜(2.1),在氮化硅薄膜(2.1)上面再沉积一层二氧化硅薄膜(2.2),形成氮化硅/二氧化硅双层反射薄膜(2)。 |
地址 |
214408江苏省江阴市霞客镇璜塘工业园区6号 |