发明名称 硅太阳能电池双层减反射薄膜及其制备方法
摘要 本发明涉及一种硅太阳能电池双层减反射薄膜及其制备方法,所述薄膜是在硅片衬底(1)正表面沉积一层氮化硅薄膜(2.1),在氮化硅薄膜(2.1)上面再沉积一层二氧化硅薄膜(2.2),形成氮化硅/二氧化硅双层反射薄膜(2)。所述方法包括以下工艺步骤:步骤一、在制绒后的硅片衬底上,利用等离子体增强化学气相沉积法,SiH<sub>4</sub>与NH<sub>4</sub>反应,沉积一层氮化硅薄膜;步骤二、在氮化硅薄膜上,利用等离子体增强化学气相沉积法,SiH<sub>4</sub>与N<sub>2</sub>O反应,沉积一层二氧化硅薄膜。本发明薄膜比传统单层减反射薄膜具有更小的折射率,电池效率提高。本发明方法可以在同一台设备内完成,在工艺及设备上得到简化。
申请公布号 CN101436616A 申请公布日期 2009.05.20
申请号 CN200810243656.0 申请日期 2008.12.05
申请人 江阴海润太阳能电力有限公司 发明人 任向东;王敬蕊;左云翔
分类号 H01L31/0232(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/0232(2006.01)I
代理机构 江阴市同盛专利事务所 代理人 唐纫兰
主权项 1、一种硅太阳能电池双层减反射薄膜,其特征在于所述薄膜是在硅片衬底(1)正表面沉积一层氮化硅薄膜(2.1),在氮化硅薄膜(2.1)上面再沉积一层二氧化硅薄膜(2.2),形成氮化硅/二氧化硅双层反射薄膜(2)。
地址 214408江苏省江阴市霞客镇璜塘工业园区6号