| 发明名称 | 一种改善刻蚀工艺中腔室颗粒状态的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善刻蚀工艺中腔室颗粒状态的方法，其中，在刻蚀工艺中的每个步骤之间不关闭等离子体，在每个步骤之后关闭该步骤的工艺气体和下电极功率，维持该步骤中的上电极功率使等离子体处于启辉状态，向腔室内通入惰性气体；向腔室内通入惰性气体的同时还可以通入下一步骤中的工艺气体；惰性气体的流量为200～500sccm，惰性气体最好为单一气体，如氩气或氦气；腔室的压力维持在40～60mT；通入惰性气体的持续时间为5～10s。本发明的方法能够减少步骤之间因关闭等离子体而瞬间落在晶片表面的颗粒，并且不会对工艺的刻蚀速率和刻蚀均匀性产生较大的影响，在通入惰性气体的同时通入下一步骤的工艺气体，能够缩短下一步工艺的稳定时间，从而提高产能。 | ||
| 申请公布号 | CN101436524A | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200710177374.0 | 申请日期 | 2007.11.15 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 霍秀敏 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 | 代理人 | 李 伟 |
| 主权项 | 1、一种改善刻蚀工艺中腔室颗粒状态的方法，其特征在于，在刻蚀工艺中的每个步骤之间不关闭等离子体，在每个步骤之后关闭该步骤的工艺气体和下电极功率，维持该步骤中的上电极功率使等离子体处于启辉状态，向腔室内通入惰性气体。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼 | ||