| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种用于制造具有CMOS晶体管的半导体器件的方法，该CMOS晶体管包括具有低电阻的栅电极。在根据本发明实施例的CMOS晶体管中，注入到栅电极中的杂质比注入到源极/漏极区中的杂质具有更高的浓度。本发明实施例还减少了包含在沟道区中的杂质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101436535A | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200810177602.9 | 申请日期 | 2008.11.17 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 朴志焕 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李丙林;张 英 |
| 主权项 | 1. 一种制造半导体器件的方法，包括：通过将导电杂质注入到晶片中形成栅极面板；将所述栅极面板联结至半导体衬底；以及然后通过图样化所述联结的栅极面板来形成栅电极。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||