具有减少的漏电流的闪存编程及验证

摘要

根据本发明的例示实施例所组构的闪存系统(300)，使用虚拟接地阵列架构(302)。于编程(programming)操作期间，目标存储单元(406)被正源极偏压电压予以偏压，以减少或去除可能流经该目标存储单元(406)之漏电流(leakage current)。于验证(verification)操作(编程验证、软编程验证(soft program verify)，抹除验证(erase verify))期间，亦可施加正源极偏压电压至目标存储单元(506)，以减少或去除于该验证操作中可能导致错误之漏电流。

主权项

1、一种非易失性存储装置的编程方法，该非易失性存储装置具有以虚拟接地架构排列的单元阵列，每一单元包含对应于在该阵列中字符线(402)的闸极、对应于在该阵列中位线(BL1，BL2)的可选取的源极/漏极、以及对应于在该阵列中位线(BL2，BL1)的可选取的漏极/源极，该方法包括：在该阵列中选取目标单元(406)用于编程；施加编程电压至对应于该目标单元(406)的字符线(402)；施加漏极偏压电压至对应于该目标单元(406)的漏极的第一可选取的位线(BL2)；以及在对应于该目标单元(406)的源极的第二可选取的位线(BL1)处，建立正源极偏压电压。