| 发明名称 | 半导体器件中凹陷栅极的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底中形成隔离结构以限定有源区；在该隔离结构和有源区上形成凹陷掩模图案；蚀刻该隔离结构以暴露凹陷图案至一定深度；蚀刻该衬底以形成凹陷图案；以及在凹陷图案上形成栅极电极。 | ||
| 申请公布号 | CN100490080C | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200710101740.4 | 申请日期 | 2007.05.08 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 赵瑢泰;金殷美 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1. 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成隔离结构以限定有源区；在所述隔离结构和所述有源区上形成凹陷掩模图案；蚀刻由所述凹陷掩模图案暴露的所述隔离结构至一定深度，以在所述有源区附近的凹陷的隔离结构的边缘处形成裂缝；蚀刻所述衬底以形成凹陷图案；和在所述凹陷图案上形成栅极电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||