AN INSITU POST ETCH PROCESS TO REMOVE REMAINING PHOTORESIST AND RESIDUAL SIDEWALL PASSIVATION,申请号EP20000990333-传众专利搜索

发明名称	AN INSITU POST ETCH PROCESS TO REMOVE REMAINING PHOTORESIST AND RESIDUAL SIDEWALL PASSIVATION
摘要
申请公布号	EP1243023(B1)	申请公布日期	2009.05.20
申请号	EP20000990333	申请日期	2000.12.21
申请人	LAM RESEARCH CORPORATION	发明人	O'DONNELL, ROBERT, J.
分类号	H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/311	主分类号	H01L21/3065
代理机构		代理人
主权项
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