半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件及其制造方法，具体涉及一种具有高介电值栅极介电层的半导体元件制造过程中，抑制次氧化物形成的一种系统及方法。在一例子中，金属氧化物半导体晶体管是包含一栅极结构，包含一高介电值栅极介电层及一栅极电极。在此例子中，一氮化层覆盖于栅极上以于制造过程中防止氧进入结构中，然而需足够薄以于制造过程中具有效的穿透性；亦需足够厚以阻挡杂质渗透。本发明所述半导体元件及其制造方法，在半导体元件的制造过程中，可抑制次氧化层的形成。

主权项

1.一种半导体元件，所述半导体元件包含：一基底；一栅极结构，包含一高介电值介电层及一导电层，覆盖该基底的表面上；一氮化层，覆盖该栅极结构，以及位于至少一部分的该基底上，该氮化层具有一厚度，介于至之间；以及一侧壁层，覆盖该氮化层。