| 发明名称 | 闪存制造工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种闪存制造工艺方法，在现有闪存工艺步骤中，浮栅多晶淀积之后，其浮栅表面生长一层厚度为20～50薄氧化膜。本发明能够有效控制局部氧化的鸟嘴形状，扩大工艺窗口，有利于浮栅尖角的控制以及稳定性，均匀性，可提高整个芯片的擦写性能。 | ||
| 申请公布号 | CN100490123C | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200610117431.1 | 申请日期 | 2006.10.23 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 杨斌;龚新军;李铭 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种闪存制造工艺方法，包括以下步骤：第1步，隔离区/有源区形成；第2步，高压晶体管，存储单元阱注入；第3步，浮栅栅氧化形成浮栅栅氧化层；第4步，浮栅多晶淀积；第5步，氮化硅淀积；第6步，浮栅局部氧化；第7步，浮栅刻蚀；第8步，残余氧化层湿法腐蚀干净；第9步，高压栅氧/隧穿氧化层形成，其特征在于：在第4步和第5步之间增加：浮栅表面生长一层薄氧化膜。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||