| 发明名称 | 制造闪速单元的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的闪速单元的方法包括在硬质掩模图样上和/或上方沉积损害防止膜，以防止在使用蒸汽处理室(VPC)工艺去除硬质掩模时对栅极图样的ONO膜的损害。 | ||
| 申请公布号 | CN101436545A | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200810170252.3 | 申请日期 | 2008.10.16 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 宣锺元 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李丙林;张 英 |
| 主权项 | 1. 一种制造半导体器件的闪速单元的方法，包括：在半导体衬底上方形成包括隧道氧化膜、浮栅、氧化物/氮化物/氧化物(ONO)膜和控制栅极的栅极图样；在所述栅极图样上方形成硬质掩模图样；在包括所述栅极图样和所述硬质掩模的所述半导体衬底的整个表面上方形成保护膜；以及然后通过实施蒸汽处理室(VPC)工艺至少去除所述硬质掩模。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||