| 发明名称 | 静电吸附装置 | ||
| 摘要 | 本发明是一种静电吸附装置，其用来吸附半导体晶圆、玻璃基板等被吸附物，其特征为：形成有一绝缘层，其覆盖形成于支持基板一面上的静电吸附用电极，且作为吸附上述被吸附物的吸附面，该绝缘层是由含有碳，且含有自硅、铝、钇以及钛选出1种或2种以上的元素，且维氏硬度在Hv50～1000的热分解氮化硼所构成。本发明之静电吸附装置，在将硅晶圆或玻璃基板等被吸附物，以静电吸附于静电吸附装置载置面上，并进行加热、冷却时，能够防止晶圆吸附面或静电吸附装置载置面产生损伤，且对氟系半导体清洗气的耐蚀性优异，使用寿命增长。 | ||
| 申请公布号 | CN100490110C | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200710105051.0 | 申请日期 | 2007.05.22 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 狩野正树;山村和市 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种静电吸附装置，其用来吸附半导体晶圆、玻璃基板等被吸附物，其特征为：形成一绝缘层，其覆盖着形成于支持基板一面上的静电吸附用电极，且成为吸附该被吸附物的吸附面；该绝缘层是由含有碳，且含有自硅、铝、钇以及钛选出1种或2种以上的元素，且维氏硬度在Hv50～1000的热分解氮化硼所构成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||