| 发明名称 | 动态存储器单元结构 | ||
| 摘要 | 动态随机存取存储器单元包括电容存储器件和写存取晶体管。写存取晶体管可操作地耦合到电容存储器件并具有栅极堆，所述栅极堆包括高K绝缘体(424)和耦合到所述高K绝缘体的金属栅极电极(422)，其中高K绝缘体具有大于二氧化硅的介电常数的介电常数。 | ||
| 申请公布号 | CN101438400A | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200780011899.5 | 申请日期 | 2007.04.03 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 蔡 劲;陆荣坚 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;G11C8/16(2006.01)I;G11C11/405(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 安之斐 |
| 主权项 | 1. 一种动态随机存取存储器单元，包括：电容存储器件；和写存取晶体管，所述写存取晶体管可操作地耦合到所述电容存储器件并具有栅极堆，所述栅极堆包括高K绝缘体和耦合到所述高K绝缘体的金属栅极电极，其中所述高K绝缘体具有大于二氧化硅的介电常数的介电常数。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||