| 发明名称 | 半导体封装体的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体封装体的制造方法，它具有以下工序：对第一基板的至少一部分照射激光而形成第一改性部的工序(A)；将上述第一基板和设有功能元件的第二基板贴合起来的工序(B)；通过蚀刻去除设于上述第一基板上的上述第一改性部的工序(C)；对上述第一改性部被去除的部分填充导电体，在上述第一基板上形成导电部的工序(D)。 | ||
| 申请公布号 | CN101436555A | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200810175267.9 | 申请日期 | 2008.11.10 |
| 申请人 | 株式会社藤仓 | 发明人 | 三谷尚吾 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L27/148(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 雒运朴;李 伟 |
| 主权项 | 1. 一种半导体封装体的制造方法，包括：对第一基板的至少一部分照射激光而形成第一改性部的工序A；将设有功能元件的第二基板和上述第一基板贴合起来的工序B；通过蚀刻去除设于上述第一基板上的上述第一改性部的工序C；以及对去除了上述第一改性部的部分填充导电体，在上述第一基板上形成导电部的工序D。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||