发明名称 | 发光器件制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种发光器件及其制造方法,由此通过简单的热处理工艺将该薄膜掩模变为聚集块,并且在聚集块中形成多个纳米开口,每个纳米开口间隔开一距离,蚀刻暴露于该纳米开口的发光结构以在其中形成纳米槽和纳米开口,使得能够增大发光面积和减少被全反射的光,从而提高光抽取效率。 | ||
申请公布号 | CN100490197C | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
申请号 | CN200610159545.2 | 申请日期 | 2006.09.27 |
申请人 | LG电子株式会社;LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 金钟旭;曹贤敬 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 夏 凯;钟 强 |
主权项 | 1. 一种制造发光器件的方法,包括:将具有第一极性的第一层、有源层、具有与该第一极性相反的极性的第二层以及保护层层叠在基板上;在该保护层的上部区域的一部分上形成薄膜掩模;对该薄膜掩模进行热处理工艺,以在该薄膜掩模上形成多个纳米开口,每个开口隔开一距离;通过使用该薄膜掩模作为掩模,来蚀刻与暴露于该多个纳米开口的区域对应的以及与未形成有薄膜掩模的区域对应的该保护层、第二层、有源层和第一层的一部分;移除该薄膜掩模和保护层;以及在该第二层上形成第一电极,并在已蚀刻的第一层上形成第二电极。 | ||
地址 | 韩国首尔 |