对扩散层水平方向扩散的测量方法

摘要

可改变任何半导体晶片制程技术来监控在掺添层水平方向的陡度分布，以作为晶片制程技术的另一附加步骤。在具体实施例之一中，包括一个或多个掺添区之取样结构系形成在一制造晶片(例如，同时和一个或多个晶体管一同被形成)中，并测量该取样结构之一或多个尺寸，并以其来估计该晶片内其它掺添区(例如，在同时形成的晶体管)中之陡度分布。取样结构内之掺添区域彼此之间可以规律间隙配置，或毗连的掺添区域可改为以各种不同间隙配置。此外或并且，可在单一晶片内形成多重测试构造，在各测试构造内之掺添区域彼此有着规则的空间间隔，而不同的测试构造则有不同的空间间隔。

主权项

1. 一种评估半导体晶片的方法，该方法包含：在半导体材料中形成具有预定几何形状的取样结构，该取样结构内含数个彼此独立的区域，此数个区域中至少有一个区域的电子性质与此数个区域中的另外区域不同；测量源自该取样结构的反射光，反射光具有一个部分，该部分包含来自具不同电子性质的区域中振幅或相位不同的反射光的重叠部分；分析测得的讯号以决定该区域内水平方向扩散的程度；以水平方向扩散结果决定是否接受或拒绝晶片做进一步处理。