| 发明名称 | 制作器件的方法以及采用该方法形成的已加工材料 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制作器件的方法以及采用该方法形成的已加工材料。一种形成浅结的方法，其步骤简单，并且具有高精确度和高生产量。建立适于所要施加的电磁波的波长的衬底表面状态。之后，施加电磁波对杂质进行电激活，从而使激励能量在杂质薄膜中得到有效吸收。因此，有效形成了浅结。 | ||
| 申请公布号 | CN101436534A | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200810182659.8 | 申请日期 | 2004.10.08 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 佐佐木雄一朗;金成国;水野文二 |
| 分类号 | H01L21/223(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/223(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 葛 飞 |
| 主权项 | 1. 一种制作器件的方法，其包括如下步骤：将含有He的等离子体照射到衬底；将杂质引入到所述衬底内；以及照射电磁波从而电激活所述杂质，其中在照射等离子体的步骤中，非晶层通过He等离子体形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||