金属基电路基板及其制造方法

摘要

提供大幅减低在混合集成电路的高频工作时发生的半导体元件的误操作，且散热性好的经济的金属基电路基板。金属基电路基板，所述金属基电路基板是用于由在金属板上隔着绝缘层(A、B)设置的电路、安装于所述电路上的输出用半导体元件、设于所述电路上的控制所述输出用半导体元件的控制用半导体元件构成的混合集成电路的金属基电路基板，其特征在于，在搭载所述控制用半导体元件的电路部分(连接盘部分)的下部埋设低静电电容部分，低静电电容部分由含有无机填料的树脂构成，且介电常数为2～9为佳。

主权项

1. 金属基电路基板，所述金属基电路基板是用于由在金属板上隔着绝缘层设置的电路、安装于所述电路上的输出用半导体元件、设于所述电路上的控制所述输出用半导体元件的控制用半导体元件构成的混合集成电路的金属基电路基板，其特征在于，在搭载所述控制用半导体元件的电路部分的下部埋设低静电电容部分；另外，低静电电容部分由含有无机填料的树脂构成，且介电常数为2～9；在金属板上的单面，凹坑部在周围的部分为非开放的状态下被设置，在所述凹坑部的空隙部分和所述凹坑部所在的金属面上都设置由同一材料构成的绝缘层；该低静电电容部分具有50pF/cm2以下的静电电容。