| 发明名称 | 半导体结构及形成铜扩散阻挡层的方法 | ||
| 摘要 | 贵金属可以被用作非氧化扩散阻挡层(20，32)以阻止铜线路(22a，22b)的扩散。扩散阻挡层可以由形成在附着增进层(18)上的贵金属或通过在可氧化扩散阻挡层上的贵金属覆盖(30)形成。铜线路也可以用贵金属覆盖。 | ||
| 申请公布号 | CN100490114C | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200380102322.7 | 申请日期 | 2003.10.23 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 史蒂文·约翰斯顿;瓦莱利·迪宾;迈克尔·麦克斯威尼;彼得·穆恩 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/288(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 | 代理人 | 严 慎 |
| 主权项 | 1. 一种形成铜扩散阻挡层的方法，包括：在电介质层上形成非贵金属可氧化阻挡层；在所述可氧化扩散阻挡层上形成贵金属扩散阻挡层；以及在所述贵金属扩散阻挡层上形成铜金属线路。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||