半导体器件与集成电路硅单晶废弃片的回收利用方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件与集成电路硅单晶废弃片的回收利用方法。它是将半导体器件和半导体集成电路废弃硅片用HCl、H₂SO₄去除镁、铝、锰、锌、铬、铁、镍、锡、铅比氢活泼的金属，用HNO₃去除铜、汞、银过渡金属，用浓HCl和浓HNO₃的混合酸溶解并回收金和铂，用浓HF和浓HNO₃的混合酸去除金属硅化物、硅氧化物、硅氮化物，再用单面减薄、双面研磨减薄的方法以去除器件工艺中的有源区，得到原有电阻率的硅片，再经过抛光、清洗、分类、检测、分档，生产出硅单晶抛光片。本发明有效利用了半导体器件和半导体集成电路的废弃硅片，有利于资源的循环利用和降低半导体器件和半导体集成电路生产成本。

主权项

1. 一种半导体器件与集成电路硅单晶废弃片的回收利用方法，其特征在于，它首先将半导体器件和半导体集成电路废弃硅片用HCl、H2SO4去除镁、铝、锰、锌、铬、铁、镍、锡、铅比氢活泼的金属，用HNO3去除铜、汞、银过渡金属，用浓HCl和浓HNO3的混合酸溶解并回收金和铂，用浓HF和浓HNO3的混合酸去除金属硅化物、硅氧化物、硅氮化物，然后先用单面减薄，再用双面研磨减薄的方法以去除器件工艺中的有源区，得到原有电阻率的硅片，再经过抛光、清洗、分类、检测、分档，生产出硅单晶抛光片，所述HCl的浓度为10～30％，H2SO4的浓度为10～60％，HNO3的浓度为10～70％，浓HCl∶浓HNO3的配比为3∶1～5∶1，浓HF∶浓HNO3的配比为1∶1～1∶10。