一种TFT LCD阵列基板结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种TFT LCD阵列基板结构，包括基板、栅线、栅电极、栅绝缘层、半导体层和数据线，其特征在于：所述基板、栅线、栅电极、栅绝缘层和半导体层的上方覆盖有绝缘介质层，其中位于半导体层上方的绝缘介质层两侧有过孔，欧姆接触层沉积在过孔内，像素电极通过过孔内欧姆接触层与半导体层欧姆接触，源电极和漏电极位于像素电极的上方。本发明同时也公开了该基板结构的制造方法。本发明通过将原来的5Mask工艺简化为3Mask工艺，共减少两次光刻过程，从而达到减少工艺步骤的目的；同时本发明通过合并源漏电极和像素电极光刻，使得源漏电极金属层和透明像素电极层可以在同一台溅射设备中连续沉积，从而提高溅射设备的利用率。

主权项

1. 一种TFT LCD阵列基板结构，包括基板、栅线、栅电极、栅绝缘层、半导体层及数据线，其特征在于：所述基板、栅线、栅电极、栅绝缘层和半导体层的上方覆盖有绝缘介质层，其中位于半导体层上方的绝缘介质层两侧有过孔，欧姆接触层沉积在过孔内，像素电极通过过孔内欧姆接触层与半导体层欧姆接触，源电极和漏电极位于像素电极的上方。