形成半导体元件之方法

摘要

本发明揭示一种形成半导体元件之方法，包含提供一基板；形成至少一第一开口于基板至一预定深度，并在第一开口内暴露出基板之一侧壁；形成一间隙壁于侧壁上，并暴露出第一开口底部之部分基板；以间隙壁为遮罩，蚀刻第一开口底部暴露之部分基板，以形成一第二开口；形成一绝缘材料层填满第二开口及部分第一开口；去除间隙壁以形成一凹陷；形成一闸极氧化层于基板表面；以及形成一导体层覆盖基板。