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发明名称
薄膜电晶体和显示装置的制造方法
摘要
本发明提供一种漏电流小且可靠性高的半导体装置的制造方法。在薄膜电晶体的制造方法中,藉由利用抗蚀掩模进行蚀刻来在薄膜电晶体中形成背通道部,藉由去掉该抗蚀掩模并蚀刻所述背通道部的一部分,去掉残存于背通道部上的蚀刻残渣等,由此可以降低产生的漏电流。当进一步蚀刻背通道部时,可以以无偏向的乾蚀刻来进行。
申请公布号
TW200921801
申请公布日期
2009.05.16
申请号
TW097132216
申请日期
2008.08.22
申请人
半导体能源研究所股份有限公司
发明人
宫入秀和;川慎也;石塚章广
分类号
H01L21/336(2006.01);H01L21/306(2006.01)
主分类号
H01L21/336(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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