发明名称 | 记忆体装置及其操作记忆体的方法 | ||
摘要 | 一种记忆体装置及其操作记忆体的方法。此记忆体装置包括复数个记忆体胞,且每个记忆体胞都与相邻的记忆体胞共用一个源极/汲极区。此方法施加一电子流至两个记忆体胞之间的一个源极/汲极区,使得当欲程式化之记忆体胞在其邻近的记忆体胞具有高临界电压时,仍然有足够的电子将所述记忆体胞程式化,进而降低记忆体胞在被程式化速率上的歧异度。 | ||
申请公布号 | TW200921683 | 申请公布日期 | 2009.05.16 |
申请号 | TW097142755 | 申请日期 | 2008.11.05 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 蔡文哲;欧天凡;黄竣祥 |
分类号 | G11C16/10(2006.01) | 主分类号 | G11C16/10(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |