可降低闸极至汲极电容的功率电晶体

摘要

可降低闸极至汲极电容的功率电晶体，包含有一背向金属层；一基底层，形成于该背向金属层上；一半导体层，形成于该基底层上；以及一正向金属层，设于该半导体层上。该半导体层包含有一第一沟槽式结构；一第二沟槽式结构；一p型基体层；第一n型源极区；第二n型源极区；以及一介电层。