| 发明名称 |
半导体装置之制造方法 |
| 摘要 |
依据一实施例之一方面，一半导体装置之制造方法具有形成一包含二氧化矽基绝缘材料之绝缘层；加工该绝缘层；藉涂布一矽烷化合物以在该绝缘层上作用，使该绝缘层疏水化；及以光或一电子束照射该绝缘层。 |
| 申请公布号 |
TW200921788 |
申请公布日期 |
2009.05.16 |
| 申请号 |
TW097130523 |
申请日期 |
2008.08.11 |
| 申请人 |
富士通股份有限公司 |
发明人 |
中田义弘;今田忠紘;尾崎史朗;小林靖志;吉川浩太;矢野映 |
| 分类号 |
H01L21/316(2006.01);H01L21/76(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
