发明名称 一种形成奈米尺度开口的方法
摘要 一种形成奈米尺度(nano-meter scale)开口的方法,包含首先提供基板,其包含材料层。接着于材料层中形成开口的第一部份,继续再形成开口的第二部份,其中使用压印(imprint)来形成开口的第一部份以及第二部份中之至少一者。
申请公布号 TW200921843 申请公布日期 2009.05.16
申请号 TW096143250 申请日期 2007.11.15
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 施惠绅;简佑芳
分类号 H01L21/76(2006.01);H01L21/768(2006.01) 主分类号 H01L21/76(2006.01)
代理机构 代理人 许锺迪
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号