发明名称 | 一种形成奈米尺度开口的方法 | ||
摘要 | 一种形成奈米尺度(nano-meter scale)开口的方法,包含首先提供基板,其包含材料层。接着于材料层中形成开口的第一部份,继续再形成开口的第二部份,其中使用压印(imprint)来形成开口的第一部份以及第二部份中之至少一者。 | ||
申请公布号 | TW200921843 | 申请公布日期 | 2009.05.16 |
申请号 | TW096143250 | 申请日期 | 2007.11.15 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 施惠绅;简佑芳 |
分类号 | H01L21/76(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/76(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |